几十年来，硅一直是电力电子领域无可争议的领导者。但随着硅达到其性能极限，氮化镓 （GaN） 功率器件正在取得进展。凭借更快的开关速度和更高的效率，氮化镓已经在消费类快速充电器中发挥了重大作用，与硅相比，实现了系统级成本、空间和功耗节省。然而，尽管具有所有功率处理特性，但基于氮化镓的横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 一直在努力进入千瓦级功率设计。瑞萨电子正试图通过其最新的高压氮化镓功率 FET 来改变这一现状，该 FET 专为要求苛刻的系统而设计，从数据中心的 AI 服务器电源和不间断电源 （
随着全球对能源可持续性与安全性的关注升温，住宅太阳能储能系统需求持续攀升。当前市场上，2kW级微型逆变器已实现集成储能功能，而更高功率场景则需依赖串式逆变器或混合串式逆变器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器设计，探讨其技术优势与核心设计要点，为住宅太阳能应用提供高能效、高密度的解决方案参考。混合串式逆变器架构：从模块到系统典型的混合串式逆变器通过稳压直流母线互联各功能模块（图1），核心子系统包括：●单向DC/DC转换器：执行光伏最大功率点跟踪（MPPT），优化能量捕获；●双向DC/
随着对 GaN 半导体的需求持续增长，Infineon Technologies AG 已准备好利用这一趋势，巩固其作为 GaN 市场领先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，该公司宣布其在 300 毫米晶圆上的可扩展 GaN 制造正在按计划进行。随着 2025 年第四季度向客户提供第一批样品，该公司已做好充分准备来扩大其客户群并巩固其作为领先 GaN 巨头的地位。作为电力系统的领导者，该公司掌握了所有三种相关材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半导体具有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率
虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓 （GaN） 晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力，这标志着 GaN 领域的重大转变。哪些因素可能推动了这些不同的策略？根据《科创板日报》的报道，中国英诺赛科董事会主席罗伟伟解释说，氮化镓晶圆生产可能不太适合传统的代工模式。为什么 GaN 不适合代工模型正如报告中所引用的，Luo 解释说，传统的功率半导体器件结构相对简单，不会对代工服务产生强劲的需求。特别是对于 GaN 功率器件，这种模型没有提供足够的投资回报 （ROI），并且缺乏代工厂与其客户之间通常看到的
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOL
从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和T
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473